化学共沉淀-离子交换法制备掺锡三氧化二铟纳米晶体

摘要

用化学共沉淀法结合离子交换法,以InCl3溶液和SnCl4.5H2O为原料,制备ITO粉体。对ITO前驱体进行TG-DTA分析,用TEM和XRD等对ITO粉体的形貌、物相和粒度进行表征,探讨煅烧温度和掺锡量对粉体物相、粒度和导电性能的影响。结果表明,在煅烧温度332℃以上发生晶型转变,获得立方In2O3结构的球形纳米ITO粉体,具有纯度高、粒度均匀、分散性好等特点。在700℃掺Sn量为10%时,晶形结构完善,晶粒粒度最小,粉体电阻最小,导电性能最好。通过团聚系数可以判断粉体的团聚情况,团聚系数越小,粉体分散性越好。