TiAl反常屈服行为的电子理论

摘要

根据固体与分子经验电子理论（ＥＥＴ）在价电子结构层次系统地研究了ＴｉＡｌ的反常屈服行为（ＡＹＢ）。由ＴｉＡｌ的价电子结构、键能和三种平面缺陷的能量联系ＴｉＡｌ的ＡＹＢ的激活能分析了其位错钉扎机制。由于ＴｉＡｌ的反相畴界能量远大于简单层错的，ＴｉＡｌ的ＡＹＢ是三种主位错交互作用引起的，同时孪生交割钉扎机制也有很大作用。也计算了温度升高直接导致的价电子结构变化，表明ＴｉＡｌ的ＡＹＢ的本质原因是温度影响键结构导致的强化与弱化综合作用的结果，而短程有序度下降导致的“无序畴”形成起主要强化作用。最后对ＴｉＡｌ的ＡＹＢ微观本质在不同层次做全面总结，并给出其他金属间化合物温度效应的一般规律．