Al-Cu-Mg-Ag合金Ω相价电子结构与沉淀硬化能力的关系

摘要

基于固体与分子经验电子(Empirical electron theory of solids and molecules,EET)理论,计算了Ω相的价电子结构,分析了主键络的空间分布形态,研究了最强共价键与位错运动、共价电子密度与析出相强度、成键能力与析出相稳定性的关系.结果表明:Ω相共价主干键络呈三维"梅花"状分布,"花心"由Cu-Cu原子最强共价键连接;基体α最强共价键的键合力n1α 为0.20857,Ω相的n1Ω 为0.49056,基体{111}晶面上析出的Ω相使{111}晶面上位错滑移的阻力增加135.20％;从共价电子密度看,Ω相强度比S、θ'相的分别大2.67％和15.83％;从成键能力看,Ω相的稳定性比S和θ'相的分别大91.31％和291.92％;从共价电子结构看,{111}晶面析出的Ω相的沉淀硬化能力比{001}晶面析出的S、θ'相强.