不同SiO2含量对氧化锌电阻片通流性能的影响

摘要

氧化锌阀片由于具有优异的能量耐受性能,在电力系统防雷上得到了广泛的应用。本工作研究了SiO2含量对ZnO压敏电阻的相变、微观结构和电性能的影响。结果表明,SiO2影响ZnO晶粒生长,当SiO2含量从0.2%(摩尔分数,下同)增加到2.0%时,ZnO的晶粒尺寸从8.87μm下降到5.86μm,从而导致击穿电压E1mA从192.77V/mm增加到252.57V/mm。另外,SiO2对氧化锌电阻片的电流能量耐受能力和脉冲老化特性具有显著影响,SiO2含量为1.5%时其通流性能最优,具有332.03J/cm^3的能量耐受能力和1.71的残压比(5kA)。