SiCp/Al复合材料在Cl^-环境中的点蚀行为

摘要

通过浸泡模拟实验方法,研究了SiCp/Al复合材料在Cl-环境中的点蚀行为。结果表明,SiCp/Al复合材料点蚀主要出现在SiC颗粒附近,SiC与Al基体界面结合处为点蚀的优先发生位置。Cl-和界面反应物对点蚀的形成和发展起主要促进作用。Nyquist曲线在0~3 d时由容抗弧组成,Bode曲线在0.1~10 000 Hz出现高频相角峰,点蚀腐蚀过程机制表现为单纯电荷传递过程机制。3 d后Nyquist曲线出现一个高频区的容抗弧和低频区的一条与实轴成45°的直线(经典Warburg阻抗),Bode曲线在0.1~10000 Hz出现高频相角峰并在0.001~0.1 Hz出现一个不太明显的低频相角峰,点蚀腐蚀过程机制表现为电荷传递过程与腐蚀产物扩散共同作用的混合机制。