基于混合拓扑的中压静止无功发生器的研究

摘要

为了进一步提高系统的功率密度,减低成本,采用基于三电平和H桥级联的混合型多电平拓扑,并且将低压IGBT的串联技术应用于三电平功率单元,避免使用高压功率半导体器件.三电平单元IGBT的开关频率为工频,而H桥采用载波移相PWM调制方式,还提出了两种功率单元的预充电策略,以及不同直流母线电压的均压控制方法.基于这种混合型拓扑,研制了10 kV、2.5 Mvar SVG样机.试验验证了方案的可行性,研究结果对于混合拓扑在SVG等产品上的应用具有重要参考价值.