相对论电子沟道辐射产生FEL的可行性分析

摘要

采用连续介质模型,研究了电子在晶片中的单粒子运动轨迹和稳定性条件。导出了晶片中相对论电子的自发辐射谱分布,证实了晶片中相对论沟道电子产生相干辐射的可能性。