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董争; 黄力平; 王英姿;
无;
机译:MOVPE生长的GaAs:N 8掺杂超晶格结构中非辐射复合中心的光致发光特性
机译:使用X射线反射率和摇摆曲线分析评估MoCVD中生长Alxga1-XAS癫痫术中的自发超晶格排序
机译:通过MOVPE生长的晶格匹配外延层评估InP衬底
机译:InP衬底上的低压金属有机气相外延(LP-MOVPE)生长和短周期应变层超晶格(SPSLSs)的表征
机译:BATIO3 / SRTIO 3超晶格外延生长的研究
机译:不同生长条件下分子束外延生长GeMn / Ge超晶格的结构演变
机译:由分子束外延生长的砷δ掺杂的HGTE / HGCDTE超晶格
机译:分子束外延生长的高电流晶格应变In0.59Ga0.41as / In0.52al0.48as调制掺杂场效应晶体管
机译:发射辐射的半导体器件包括:有源层,其布置在n和p掺杂的壳体层之间;扩散停止层,其具有张紧的超晶格,该张紧的超晶格布置在有源层和p掺杂的壳体层之间
机译:一种使用氮化铝/氮化镓超晶格生长半极性氮化镓外延层的方法
机译:通过外延生长制造Si / SiGe超晶格结构
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