ALD法制备二维二硫化钼薄膜的研究现状及展望

摘要

二硫化钼(MoS_(2))是一种典型的过渡金属硫属化合物,其二维结构表现出优异的光学性能、热电性能及光电性能,在光电器件领域具有广阔的应用前景.MoS_(2)薄膜的带隙可通过原子层数进行调控,随层数减少其带隙呈逐渐增大趋势,当层数减至一层,将由间接带隙转为直接带隙.因此,制备层数可控的MoS_(2)薄膜是其应用的基础.原子层沉积(ALD)是可控制备MoS_(2)薄膜的重要方法之一,可实现在较低温度下制备均匀的薄膜,而前驱体种类、反应温度、衬底预处理和退火工艺参数等对薄膜质量均有影响.在总结二硫化钼结构及特性的基础上,综述了ALD法制备少层二硫化钼薄膜的进展,并着重探讨了影响薄膜质量的关键因素,最后对其未来发展趋势进行了展望.