A位掺杂Sr_(1-x)La_(2x/3)Bi_4Ti_4O_(15)陶瓷的铁电介电性能

摘要

Sr1-xLa2x／3Bi6TiO15（SLBT-x,x=0．00～O．75）陶瓷居里温度（tc）随掺杂量的增加而降低，显示掺杂导致晶格畸变减小，这是由于La^3＋取代Sr^2＋位而产生的A位空位弱化了相邻TiO6八面体的耦合作用所致．样品介电峰峰高随掺杂量增加而降低，峰形宽化．表现出弥散相变的特征，这是由于La^3＋和Sr^2＋离子半径的差异以及高掺杂量下La^3＋离子部分进入铋氧层所致．样品的剩余极化（2Pr）在掺杂量为0．3时增加到23.1×10^-2C·m^-2,同时矫顽场降低到79．6×10^5V·m^-1，高价掺杂所形成的偶极子缺陷使得样品铁电性能明显改善．