卤素取代改良热激活延迟荧光分子CzDBA性能的理论研究

摘要

为获得更高性能的热激活延迟荧光(TADF)材料并认识其潜在机理,以具有良好荧光性能和高外量子效率的CzDBA分子为研究对象,通过卤素(F、Cl、Br)取代其受体单元上不同位点的H原子,设计了一系列新型TADF分子,并从理论上对其性能进行综合评估,计算了从最低三重激发态(T 1态)到最低单重激发态(S 1态)的逆向系间窜越速率(k RISC).结果表明:Br取代能够显著加快分子的逆向系间窜越过程,其中受体单元上H原子分别被2个Br原子及4个Br原子取代的新型TADF分子的k RISC均较原始的CzDBA分子提升了18倍以上.该工作为实验设计与合成TADF分子提供了可行的思路.