Quad-Level Cell NAND Design and Soft-Bit Generation for Low-Density Parity-Check Decoding in System-Level Application

摘要

反及闪光将是的 QLC (空铅级的房间) 为下一代记忆的未来技术之一削在以后三维(3D ) TLC (三元组级的房间) 叠了反及闪光。在 QLC 设备，因为 2 个 4 数据层次，数据错误将容易发生在有限电压范围。这份报纸学习每房间是 4 位的 QLC 反及技术。基于 16 个电压层次和读的方法，基于一半变化格雷，编码被研究的 QLC 编程方法。因为 QLC 反及房间电压变化的可能的错误影响，在 XOR 以后产生软信息的解决方案(独占或) 由内部读的机制的软位为为它的系统水平应用程序在 QLC 设计译码的低密度的同等值检查(LDPC ) 信仰繁殖(BP ) 被介绍。