基于提高有载Q的120 MHz低相噪晶体振荡器设计

摘要

从反馈振荡器的Leeson模型相位噪声表达式出发,分析了有载Q的重要性,针对基本皮尔斯振荡电路推导出有载Q的表达式,得到C1越大,有载Q越高的结论.在此基础上设计了一个120 MHz AT切低相噪晶体振荡器样机,经实际测试,该振荡器在偏离载频100 Hz、220 Hz、1 kHz和底部相位噪声分别达到了-130 dBc/Hz、-142 dBc/Hz、-155 dBc/Hz和小于-175 dBc/Hz.结果表明,从提高有载Q出发对低相噪晶体振荡器进行设计是可行的.