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黄志强; 徐政;
同济大学材料科学与工程学院;
薄膜; 驻极体; 正电荷; 离子掺杂; 二氧化硅;
机译:钾离子掺杂SiO2制成的驻极体膜的充电机理
机译:通过引入SiO2和高岭土填料并形成孔结构来提高聚丙烯驻极体的压电常数和热耐久性
机译:PECVD SiO2 / Si3N4双层驻极体性能的提高
机译:在硅衬底上形成SiO2 / Si3N4 / SiO2驻极体
机译:使用正电荷B介子衰变到J / psi介子+带电的Kaon的完全重建衰变,在1.8 TeV的质子-反质子碰撞中测量正电荷的B介子截面。
机译:富氮层状阴极中掺杂卤素诱导超高稳定性阳离子正电荷
机译:由钾离子掺杂siO2制成的驻极体薄膜的充电机理
机译:辐射硬COs / mOs器件采用非掺杂(干)siO2沟道介质。
机译:颜料颗粒是具有密集掺杂的二氧化硅层(SiO2)(变体)的二氧化钛,以及具有密集掺杂的SiO2颗粒(变体)的制造方法和使用所述颗粒(纸中的原材料)制造油漆,清漆和纸的方法在上述颗粒的基础上制造或涂覆产品
机译:通过高密度等离子刻蚀机对掺杂的SIO2进行蚀刻,对未掺杂的Sio2具有高选择性
机译:对制造驻极体sio2和获得的驻极体的方法进行了改进。
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