激光增材制造TC4点阵结构化学抛光研究

摘要

为了改善增材制造点阵结构的表面质量进而提升结构性能,研究了化学抛光过程中各加工参数对激光增材制造TC4点阵结构表面质量的影响。通过正交试验获得各加工参数对材料去除速率及材料表面粗糙度的影响趋势,得到优化的化学抛光参数。采用HF为3.5 mol/L、HNO_(3)为8 mol/L、脲素为40 g/L、十二烷基苯磺酸钠为2 g/L、溶液温度为35℃,化学抛光15 min时表面质量最佳,上表面粗糙度Ra由10.14μm降至6.51μm,侧表面粗糙度Ra由6.37μm降至5.26μm。试验结果表明,化学抛光能够有效地将点阵结构的表面增材缺陷去除,表面质量得到提升。