铜、银、金铟硒半导体薄膜光电化学振荡行为比较

摘要

对用电沉积方法制备的铜铟硒、银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的（光）电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究．特别是对它们的振荡形式、起振条件、外界影响因素及光电调制等进行了归纳，较系统地总结了IB族元素与In，Se构成的三元半导体化合物薄膜的电化学振荡的基本特点．