高频传输室过渡接头内导体的形状优化设计

摘要

研制吉赫兹横电磁波传输小室，其过渡接头的结构设计尤为关键．运用电磁学中的能量对偶法精确求解GTEMcell中过渡接头部分的特性阻抗，通过建立和求解精确的过渡接头内导体侧边曲线方程，对内导体侧边形状进行优化设计．改进了以往GTEMcell过渡接头内导体侧边采取直线过渡的近似设计方法，解决了高频输入转接头的设计制作难题，保证了高频传输室的整体性能．测试结果表明：采用优化设计过渡接头内导体研制的传输室在0．4～15GHz的频带范围内，电压驻波比均小于1．5，其综合性能明显高于优化设计前的高频传输小室．