红外激光作用下SiH_4击穿过程的研究

摘要

测量了在脉冲ＴＥＡＣＯ２激光作用下ＳｉＨ４／Ａｒ气体的击穿阈值与激光能量、激光频率的关系。通过研究ＳｉＨ４／Ａｒ气体的击穿过程，建立了击穿过程的物理模型，结果表明在强ＴＥＡＣＯ２红外激光作用下ＳｉＨ４／Ａｒ气体的击穿过程为有共振吸收的光学击穿过程。