使用直接模拟法研究选择快中子屏蔽参数

摘要

使用蒙特卡罗直接模拟法模拟了３００ｋｅＶ氘束流Ｔ（ｄ，ｎ）＾４Ｈｅ中子源发出的中子在球壳屏蔽体介质铁中的输运规律。分析了不同介质厚度的铁对中子的反射性质和吸收性质，这些解释和分析对快中子球壳屏蔽参数的选取具有重要价值。