高能密度材料1,3,4-噁二唑衍生物的分子设计

摘要

运用密度泛函理论(DFT)方法计算了56种1,3,4-噁二唑衍生物的生成热(HOFs)、电子结构以及爆轰性能。结果表明,-N3基团和-NH-NH-桥键的引入可以显著提高1,3,4-噁二唑衍生物的生成热。除取代基以外,桥键的引入也会对前线轨道能级差(HOMO-LUMO能量差)产生影响。比较衍生物的爆速和爆压可知,官能团-ONO2和氮桥键(-NH-NH-,-N=N-)的引入有助于提高1,3,4-噁二唑衍生物的密度及爆轰性能。综合考虑化合物的爆轰性能和稳定性,选出4种1,3,4-噁二唑衍生物作为潜在的品优高能量密度化合物(HEDC)候选物。