As（V）催化H2O2氧化CdTe-Cys-QDs磷光传感器测定砷（V）

摘要

Cd Te-Cys-QDs在聚酰胺素膜（PAM）上能发射强而稳定的室温磷光（RTP）,并可被H2O2氧化为Cd Te-CysQDs,结果使Cd Te-Cys-QDs的表面新的缺陷增多,导致其磷光信号猝灭;更有趣的是As（Ⅴ）催化H2O2氧化Cd TeCys-QDs导致体系的RTP剧烈猝灭,显示催化反应对RTP信号有放大效应.据此,提出一种测定痕量As（Ⅴ）的新Cd Te-Cys-QDs磷光传感器.这种简便、快捷、灵敏（检出限（LD）=2.1×10-18 g m L-1）的磷光传感器用于人发和茶叶中痕量砷的测定结果与与AAS法相吻合.