CuO/KCu7S4复合纳米材料的制备及其超级电容器性能

摘要

采用接替离子层吸附反应(SILAR)沉积法成功地在KCu7 S4微米线上沉积CuO纳米片得到CuO/KCu7 S4复合纳米材料,并应用于超级电容器的电极.通过对该纳米复合材料表征表明,随沉积次数增加,CuO的含量增加,该CuO为片状结构,均匀地分布于KCu7 S4微米线上.在1 A/g的电流密度下,沉积次数分别为0、20、40和60的样品比电容分别为10.04、25.52、30.84和40.92 F/g.CuO/KCu7 S4-60在0.7 A/g的电流密度下比电容为47.6 F/g,并且在5 A/g的电流密度下进行1000次的循环充/放电测试后比电容增加到初始电容的117.29％.