毫米波环行器平面化进展及自偏置六角铁氧体研究述评

摘要

(续上期)3.2电磁损耗(tan δe和(35)H)及线宽来源分析如第2节所述,自偏置环行器工程化应用的主要障碍是插入损耗偏大,其原因主要是来自于材料的微波电磁损耗。