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纳米永磁晶粒边界类磁畴壁的形成与剩磁增强效应

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摘要

纳米永磁晶粒之间的交换耦合相互作用导致在晶界处形成一种类磁畴壁结构的过渡区域.假设过渡区内的磁矩在方向上呈线性分布,由总能量取极小值的条件得到过渡区的宽度和剩磁的解析公式,能够很好地解释各向同性纳米磁体的剩磁增强效应.

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来源
《磁性材料及器件》|2006年第3期|37-39|共3页
作者
梁军; 赵国平; 孙明俊;
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作者单位

四川师范大学,物理与电子工程学院,固体物理研究所,四川,成都,610066;

四川师范大学,物理与电子工程学院,固体物理研究所,四川,成都,610066;

四川师范大学,物理与电子工程学院,固体物理研究所,四川,成都,610066;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类硬磁材料;磁学性质;
关键词
纳米磁体; 类磁畴结构; 剩磁增强效应; 解析公式;
入库时间 2023-07-25 20:18:58

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