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单轴异性对氮化物半导体中浅杂质态的影响

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摘要

利用变分法研究纤锌矿结构氮化物半导体材料中的浅杂质态问题.采用London模型,用变分法计算浅杂质态的结合能,研究材料的单轴异性对浅杂质态的结合能的影响.对G aN,A lN和InN三种材料进行数值计算,给出了结合能随异性角(总动量与主轴之间的夹角)的变化关系,结果表明结构异性对结合能的影响显著.

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来源
《内蒙古大学学报：自然科学版》 |2006年第6期|632-635|共4页
作者
薛亚光; 闫祖威;
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作者单位

内蒙古大学理工学院物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类极化与激子理论;
关键词
氮化物半导体; 浅杂质态; 结合能; 单轴异性;

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