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甲烷在硅底靶上吸附的计算机模拟研究

         

摘要

采用Tersoff和Brenner作用势,用分子动力学模拟方法,研究了甲烷入射到硅(001)-(2×1)表面的动力学过程.通过定点入射模拟计算出6个代表点的吸附阈值,分析了多种吸附结构.计算了随机入射的吸附概率.讨论了入射位置以及甲烷荷能大小对吸附结构的影响.

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