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铬掺杂0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷的XRD和Raman散射分析

         

摘要

采用XRD与Raman散射研究了Cr掺杂0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷微观结构的变化.Cr掺杂导致三方-四方相变和晶体四方度增大,Raman散射关于晶格参数和相结构的分析得到了XRD的验证.通过研究不同结构中Raman振动模式,可揭示掺杂诱导的两相共存压电陶瓷微观结构的变化.

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