半导体光放大器静态增益饱和特性的理论研究

摘要

通过数值模拟对半导体光放大器 (SOA)的静态增益饱和特性进行了理论研究 .分别在考虑和不考虑放大的自发辐射 (ASE)的情况下 ,给出了连续光 (CW )单光束入射时SOA的增益随入射光功率、注入电流和波长的变化以及有源区内载流子浓度的分布 ,并且在不考虑ASE的前提下 ,讨论了连续光双光束入射的情况 ,比较了两束光同向和相向入射时SOA增益和有源区内载流子浓度分布的差别 .