煅烧温度对TiO2/Si光电效应的影响

陈顺玉; 李旦振; 付贤智; 刘平

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煅烧温度对TiO2/Si光电效应的影响

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采用溶胶-凝胶法在P-型单晶硅的表面镀上一层TiO2薄膜,并在200-900℃下煅烧得到TiO2/Si复合材料.研究结果发现,经不同温度煅烧得到的TiO2/Si复合材料中TiO2的晶相结构以及复合材料的吸光性能不同,其光电响应特性亦不同.经400℃煅烧得到的复合材料的光电压最强,相对于单晶硅约提高了3个数量级.

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来源
《福州大学学报（自然科学版）》 |2001年第6期|115-117|共3页
作者
陈顺玉; 李旦振; 付贤智; 刘平;
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作者单位

福州大学光催化研究所,福建福州,350002;

福州大学光催化研究所,福建福州,350002;

福州大学光催化研究所,福建福州,350002;

福州大学光催化研究所,福建福州,350002;

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正文语种 chi
中图分类 P-N结;半导体晶体物理;
关键词
溶胶-凝胶法; TiO2/Si; 煅烧温度; 光电效应;

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