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郑显通; 苑进社; 李瑶; 刘帆;
重庆师范大学物理与电子工程学院;
分子束外延; 氮化镓; 表面形貌; 光致发光; 电学性质;
机译:通过电容DLTS评估RF-MBE在GaN模板上通过RF-MBE生长的GaN中的深能级
机译:MBE在SiC,Si(111)和GaN模板上通过MBE生长的AlGaN / GaN HEMT的结构和电性能
机译:等离子体辅助MBE生长的AlN / Si(110)衬底上氨MBE生长的GaN层的光学和晶体性质
机译:氨在MBE原位生长的GaN /蓝宝石模板上的GaN的等离子体辅助MBE生长
机译:用于高性能HEMT的GaN异质结构的MBE生长
机译:通过MBE在Si(111)上生长的纳米壁网络纳米柱和致密膜之间的GaN结构变化
机译:用于在GaN(0001)衬底上制造量子纳米结构的AlGaN / GaN的ECR干蚀刻和选择性MBE生长的研究
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:氨源MBE在SIC衬底上的GAN选择性生长
机译:半绝缘C掺杂GAN的分子束外延(MBE)生长
机译:Zno / gan异外延薄膜在MBE生长过程中控制显示薄膜晶体极性的方法
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