MOSFET开关变换电路换流过程的瞬态磁场能量密度的计算

摘要

为进一步明确电力电子电路开关瞬态过程的干扰特性,基于传输线理论,首先解决了瞬态电流环路磁矢量势计算中所遇到的难题,并在此基础上提出了一种瞬态场时域解析模型.在进行高精度计算时,该模型与数值方法相比具有高效的特点.最后以MOSFET开关电路为例,计算了该开关在关断瞬间瞬态磁场的变化规律,并计算了瞬态磁场能量密度.本模型的建立为电力电子电路的电磁兼容性设计提供了依据.计算结果与实际结果均表明,瞬态电流在本文所提出的实验回路中的传输时延虽为纳秒级,但应在瞬态模型中给予充分考虑.