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梁晓琴; 周金君; 杨春; 李来才;
四川师范大学化学与材料科学学院;
SrO、BaO和TiO2; GaN(0001); 温度; 吸附;
机译:氨在氢覆盖的GaN(0001)表面上的吸附-密度泛函理论研究
机译:Cs在GaN(0001)表面吸附的理论研究
机译:Ni在GaN(0001)表面吸附的理论研究
机译:GaN(0001)线缺陷表面TiO_2吸附的DFT研究
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:空位缺陷对GaN(0001)表面特征和Cs吸附的影响
机译:空位缺损对GaN(0001)表面Cs表面特征及其吸附的影响
机译:GaN(0001)表面吸氢的理论研究。
机译:具有大面积且主表面的平面取向不是(0001)和(000-1)的GaN单晶衬底
机译:在具有相对于{0001}晶面朝着<1-100>和<11-20>方向双向倾斜的表面的gan衬底上制造半导体器件的方法
机译:在与该工艺的生长温度相同的生长温度下,进行上述的第1次GaN形成。
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