MeV质子和+He离子产生的60Nd、62Sm、63Eu和70YbL L次壳层电离

摘要

过去几年中,MeV的质子和+He离子等轻离子轰击中、高Z元素产生L次壳层电离截面的测量研究仍然吸引了国际上许多实验室的注意。这是由于L次壳层电离截面的知识不仅对于发展托克马克、等离子体物理、离子注入和PIXE技术等有重要意义,而且精确的L次壳层电离截面的数据可以用来检验各种电离现象理论模型的正确性,这样的检验可以加深人们对内壳层电离物理机理的理解,正是由于实验的检验导致了在现有的理论