一种基于GaAs肖特基二极管W波段混频器芯片设计

摘要

对基于GaAs肖特基二极管的W波段单平衡混频器进行了研究,包括肖特基二极管特性等效电路拟合、曲线测试、参数提取、模型建立。基于单平衡混频器隔离度和杂散抑制的机理,研究了W波段巴伦的设计。基于GaAs pHEMT工艺,结合W波段电路设计方法,研发了一款射频频率覆盖90~98 GHz,中频频率覆盖1~9 GHz,本振频率覆盖86~98 GHz,本振功率为11 dBm的无源单平衡混频器。芯片通过探针台在片测试,在W波段内有较好的性能,其中变频损耗小于10 dB,本振射频隔离度在92~96 GHz内大于35 dB。