首页> 中文期刊> 《红外》 >TMOS红外非致冷传感器及焦平面列阵

TMOS红外非致冷传感器及焦平面列阵

         

摘要

非致冷焦平面列阵的常规设计均包含一块CMOS读出电路芯片,该芯片上的牺牲层和传感器材料层是先摹制然后再用表面微机械加工方法消除的。由于这种芯片不能完全用标准的CMOS生产线制备,在进行标准的CMOS制备之后,还需要接受后续加工。这样便会由于工艺的不兼容性而对CMOS器件的性能产生影响,而且成品率和成本也是个问题。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号