X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究

摘要

促使物相尽可能地向Pt2 Si和PtSi转化 ,是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射 （XRD）、X射线光电子能谱 （XPS）微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察 ,研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体 （N2 和H2 ）退火等工艺条件对溅射PtSi薄膜物相形成的影响。结果表明 ,氢气气氛退火能提高薄膜质量 ;真空退火可以减少氧元素对成膜的影响