GaAs:Cr探测器对聚变脉冲中子诊断的灵敏度研究

摘要

介绍了国产ＧａＡｓ：Ｃｒ光电导探测器（简称ＰＣＤ）在ＤＴ聚变中子辐射脉冲测量中的应用，利用ＰＩＮ探测系统绝对测量结果，获得了ＧａＡｓ：ＣｒＰＣＤ的１４．１ＭｅＶ中子直照灵敏度是１．５２×１０－２０Ｃｃｍ２／ｍｍ３，测量误差为±１８％。此结果与理论预估和国外报道在误差内符合。