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低抖动纳秒级前沿的氢闸流管高压脉冲源

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摘要

试验用功率MOSFET驱动氢闸流管,做成幅度可达15kV、前沿小于10ns、抖动低于1ns的高压纳秒级前沿脉冲源.简要介绍了脉冲源的电路结构,着重从氢闸流管储氢器加热电压、阴极加热电压、触发脉冲幅度、前沿和延迟几方面测量分析了其对脉冲源输出特性的影响.

著录项

来源
《强激光与粒子束》|2004年第2期|265-268|共4页
作者
郝晓敏; 唐丹; 陈敏德; 王欣;
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作者单位

中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900;

中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类超高速脉冲电路;
关键词
氢闸流管; 高压; 纳秒级前沿; 低抖动;
入库时间 2022-08-18 03:17:14

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