X凹陷A构造低阻气层成因机理分析

摘要

经勘探开发证实,X凹陷A构造H组地层Q_(3)c上部层段存在大量低阻气层。针对该层段地质沉积环境认识不清、储层微观认识不深入、气层低阻成因尚未明确等问题,以研究区3口井的测井资料为基础,结合钻井、录井资料和大量岩石物理实验资料开展相关研究。对研究区开展了基于薄片鉴定资料的岩石学、物性特征分析;通过连井剖面、特殊测井资料并结合大量岩石物理实验对低阻气层成因机理开展研究;基于数字岩心技术构建多组分导电模型,从微观可视化尺度证实了低阻气层成因机理,开展有限元电性模拟定量分析各低阻成因对电阻率降低的贡献。研究结果表明,由于高阳离子交换容量粘土矿物的存在以及良好物性基础上发育复杂孔隙结构,共同导致了研究区Q_(3)c上部气层的低阻响应。其中,粘土附加导电性对低阻响应的贡献为35.63%,良好物性条件下的复杂孔隙结构对低阻响应的贡献达到64.37%,电性模拟结果与测井电性特征吻合,证实了Q_(3)c上部低阻气层成因机理。