用光电导衰退法测量锗中少数載流子的壽命

摘要

引言半导体材料中少数载流子**的寿命是一个非常重要的参数,它标志着半导体材料的性能及品格的完整性,而且在半导体器件特別是晶体管的制造时,半导体材料中少子寿命的大小对晶体管的性能有重大的影响。