美光发布第六次年度可持续发展报告

摘要

2019年是极紫外(EUV)光刻技术的重要里程碑。同年,EUV构图技术首次应用于7 nm技术代逻辑芯片的量产。插入以对芯片后端(BEOL)的最关键层进行图案化,能够打印间距高达36-40 nm的金属线。2023年将标志着EUV光刻技术发展的又一个新的里程碑。