一种低功耗高电源电压抑制比的基准电压源

摘要

提出了一种以传统的带隙基准核心电路架构为基础,采用一阶温度补偿技术、运用跨导运算放大器、设计预调节电路结构以及RC滤波电路对基准电压源的电源电压抑制比进行提高。是基于Cadence Spectre软件,在0.18μm CMOS工艺下进行设计与仿真。设计完成了电路版图,版图面积约为0.047mm~2。仿真结果表明,该电路可以在1.5～4.5V电源电压下稳定输出1.2V电压,最低功耗为11.66μW。在电源电压为2V、-40～125℃时温度系数为10.8ppm/℃,低频电源电压抑制比为-88.9dB,在1kHz时电源电压抑制比为-83.9dB。