SiC MOSFET在悬浮控制器中的应用研究

摘要

本文将以中低速磁浮列车的悬浮控制器为应用场景,通过选用FF200R12KT4(IGBT)和FF6MR12W2M1_B11(SiCMOSFET)两款功率器件搭建实验平台,计算分析比较了两种器件在相同工况下运行的功率损耗,并对其进行了仿真验证。随着磁浮车辆对小型化、轻量化、载重能力等需求的提高,研究高效率、高功率密度的功率器件在悬浮控制器中的应用迫在眉睫。与传统的IGBT功率器件相比,碳化硅功率器件具有寄生参数低,器件尺寸小,导通损耗低和工作频率高等优势。在相同工况条件下,碳化硅功率器件功耗低的特点,降低了系统对散热能力的需求,同时降低了系统的整体体积及重量。