集成充电和电源开关解决方案

摘要

NUS3116集成了主电源开关-12V、-6．2A的μCO01单P沟道MOSFET，处理主电池开关功能；还集成了两个内部低饱和PNP晶体管，处理双沟道充电功能。其中，主开关MOSFET的最大漏一源极导通阻抗（RDS（ON））为40m。而两个低Vce（sat）晶体管为高达2A的充电电流提供良好的热性能，