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张鹏;
广州金升阳科技有限公司;
机译:使用STripFET III技术的MOSFET的导通电阻和开关损耗降低技术-引入具有低导通电阻和低Qg特性的平面MOSFET,其损耗超过沟槽栅MOSFET的损耗
机译:低耐压电源MOSFET,可实现特性提升和降低价格降低
机译:同时消除宽带隙功率半导体的EMI关键振荡并降低开关损耗的直接方法
机译:纳米MOSFET使用分级渠道工程性能提升和降低纳米MOSFET的效应
机译:MOSFET电流源栅极驱动器,用于MHz开关频率DC-DC转换器的开关损耗建模和频率抖动控制。
机译:MWCNT涂层的自立式碳纤维织物具有更高的绝对EMI SE可增强EMI屏蔽性能
机译:基于ZVS的开关技术使用基于MOSFET的全桥直流转换器来降低功率损耗
机译:TEmTaDs辅助传感器系统手持式EmI传感器,用于突发UXO识别(EsTCp mR-200807)和用于UXO检测和识别的便携式EmI阵列(EsTCp mR-200909)成本和性能报告。
机译:多重栅极MOSFET,同步型反向转换器和MOSFET中的电损耗降低方式
机译:即使执行了应力消除退火并且连续制造用于降低低损耗晶粒取向硅钢的设备培训,仍可制造出无磁性能降低的低损耗晶粒取向硅钢片
机译:EMI具有增强的EMI降低性能的感应加热型电子设备
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