SiO2掺杂SnO2-ZnO-Nb2O5压敏陶瓷的电学特性

摘要

研究了SiO2掺杂对SnO2-ZnO-Nb2O5压敏陶瓷的影响.实验结果表明,SiO2可以十分显著地影响SnO2-ZnO-Nb2O5压敏陶瓷的物理和电子性质.掺杂范围为0.05%～0.40 % (摩尔分数)时,材料密度在6.21～6.56 g/cm3之间变动,非线性系数在7.42～12.80之间.烧失率、势垒电压和非线性系数的测量均表明:掺有x(SiO2)=0.2%的SnO2-ZnO-Nb2O5压敏陶瓷的非线性最好,其势垒电压为0.67 eV,非线性系数达12.80.