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Diodes新型MOSFET离板高度减半

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Diodes Incorporated推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,

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《电子元器件应用》 |2012年第5期|69-69|共1页
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正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件 ;
关键词
MOSFET; 板; N通道; 封装;

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1. Diodes新型MOSFET离板高度减半 [J] . . 电源技术应用 . 2012 ,第5期
2. Diodes自我保护式MOSFET节省85的电路板空间 [J] . . 工业和信息化教育 . 2009 ,第1期
3. Diodes新型双MOSFET组合式器件节省空间却无损性能 [J] . . 工业和信息化教育 . 2009 ,第8期
4. Diodes推出适合LCD背光应用的新型MOSFET器件 [J] . . 工业和信息化教育 . 2009 ,第9期
5. Diodes推出适合LCD背光、应用的新型MOSFET器件 [J] . . 中国电子商情：基础电子 . 2009 ,第9期
6. 新型灯丝令全球照明消耗减半 [C] . . 2005年全国电光源材料科技研讨会 . 2005

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