极低频弱电磁场对大鼠学习记忆的影响

摘要

目的研究极低频弱电磁场短期及长期照射对大鼠学习记忆的影响。方法用Helmholtz线圈产生50Hz,强度连续可调的均匀弱电磁场(0.1、1.2、1.6mT),分别对青龄(2～3月)及大龄(18个月)SD大鼠照射10d～8个月,通过Morris水迷宫实验检测电磁场照射后大鼠逃避潜伏期和穿环系数以反应定位航行和空间探索行为功能的变化。结果青龄大鼠照射10d,0.1、1.2、1.6mT组的逃避潜伏期缩短,穿环系数增大,1.2、1.6mT组与对照组差异有显著性;1.6mT组停止照射30d后逃避潜伏期和穿环系数与对照组差异无显著性;1.2mT组连续照射90d,潜伏期延长,穿环系数减少熏与对照组差异有显著性。大龄大鼠0.1mT组照射10d,潜伏期变化不显著;照射4个月后潜伏期延长,照射8个月后潜伏期延长更显著。结论50Hz弱电磁场对青龄大鼠短期电磁场照射可以暂时促进学习记忆,但长期照射则抑制学习记忆;对大龄大鼠长期弱照射明显抑制学习记忆能力。