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1MeV电子辐照对硅常规电池性能的影响

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本文研究p^+/n硅常规电池受1MeV电子辐照前、后性能参数的变化.实验数据与计算结果均表明,随着电子辐照强度的增加,电池的内部参数S_p/D_n逐渐增大,L_n和L_p逐渐变小,尤其是基区中L_p快速下降,这是导致电池性能衰退的主要原因.

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来源
《固体电子学研究与进展》 |1990年第3期|307-312|共6页
作者
吴荣华; 周海文;
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作者单位

厦门大学物理系;

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正文语种 chi
中图分类 TM914.41;
关键词
电子辐照; 硅常规电池; 性能;

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