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何剑; 闫应星;
重庆光电技术研究所;
IRCCD; 肖特基势垒探测器; 噪声;
机译:使用蛾眼表面结构增强肖特基势垒红外探测器的PtSi薄膜中的近红外光吸收
机译:PtSi /多孔Si肖特基势垒探测器的孔径大小对量子效率响应的依赖性
机译:蒸发的PtSi / p-Si(100)肖特基势垒作为高量子效率红外探测器的微观结构,电学和光学性质
机译:高性能256x244 PtSi肖特基势垒IRCCD成像仪
机译:红外焦平面阵列用硅化铂/ p型硅和硅化铱/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应
机译:GaN基纳米级肖特基势垒二极管中的势垒不均匀性限制了电流和1 / f噪声的传输
机译:具有PtSi肖特基势垒源极/漏极触点的FinFET中的低频噪声
机译:使用单片InGaas-on-si LED和单片ptsi-si肖特基势垒探测器的穿晶片光通信
机译:肖特基势垒探测器的红外边界波放大方法,红外探测器和红外光电探测器阵列
机译:具有肖特基势垒的边界波红外探测器,红外探测器和光电探测器阵列的增加方法,对红外辐射敏感
机译:基于硅的肖特基势垒探测器具有更高的响应度
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